抗

辐

射

级

产

品

抗辐射512K×32bit

SRAM

B8CR512K32RH

异步单端口， 容量512K×32 Bits， 读取时间：25ns，工作电压:内

核1.8V，I/O 3.3V

CQFP68

UT8CR512K32

抗辐射512K×8bit

SRAM

B8R512K8RH

异步单端口；容量：512K×8Bits，读取时间：15ns，电压：内核1.8V，I/O 3.3V

CFP36

UT8R512K8

抗辐射128K×8bit

SRAM

B65608EARH

异步单端口，容量：128K×8     Bits，读取时间：45ns，工作电压：5.0V

QFP68

M65608E

抗辐射32K×8bit

SRAM

B7156ARH

异步单端口；容量：32K×8Bits；读取时间：40ns，工作电压：5.0V

DIP28

UT7156

抗辐射4K×9bit

先进先出（FIFO）存储器

B7204ARH

异步FIFO，容量：4K×9 Bits，读取时间：20ns，工作电压：5V

DIP28

IDT7204

抗辐射16K×9bit

先进先出（FIFO）存储器

*B7206ARH

异步FIFO，容量：16K×9 Bits， 读取时间：20ns，工作电压：5V

DIP28

IDT7206

抗辐射512K×39bit

SRAM

*B8R512K39RH

异步单端口， 容量512K×39 Bits， 读取时间：20ns，工作电压:内

核1.2V，I/O 3.3V

CQFP84

--

抗辐射1M×39bit

SRAM

*B8CR1M39RH

异步单端口， 容量1M×39 Bits， 读取时间：20ns，工作电压:内核

1.2V，I/O 3.3V

CQFP84

--

抗辐射1M×32bit

SRAM

*B8CR1M32RH

异步单端口， 容量1M×32 Bits， 读取时间：20ns，工作电压:内核

1.2V，I/O 3.3V

CQFP84

--

抗辐射256K...PROM

B28F256LVRH

异步单端口，容量32K×8...Bits，读取时间：90ns，工作电压:

...I/O ...3.3V

FP28 DIP28

UT28F256LVQLE

抗辐射1M...PROM

B28F1MLVRH

异步单端口，容量128K×8...Bits，读取时间：90ns，工作电压:

...I/O ...3.3V

--

--

军级产品

16K×9bit先进先出（FIFO）存储器

BM2157MD

异步FIFO，容量：16K×9...Bits，读取时间：20ns，工作电压：5V

DIP28

IDT7206

2K×16bit双端口SRAM

B7133

异步双端口，容量：2K×16...Bits，...读取时间：25ns，工作电压：5V

LCC68

IDT7133LA25

4K×8bit双端口

SRAM

B7134

异步双端口，容量：4K×8...Bits，读取时间：35ns，工作电压：5V

DIP48

IDT7134LA35