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抗辐射集成电路技术实验室2021年工作会暨学术交流会圆满召开
文章来源: 发布时间:2021-05-23
 
5月23日,抗辐射集成电路技术实验室2021年工作会暨学术交流会在771所成功召开。西安电子科技大学郝跃院士,西北核技术研究院欧阳晓平院士,九院科技委副主任、抗辐射集成电路技术实验室主任赵元富,九院研究开发部部长孙甲琦,771所所长唐磊,772所所长陈雷,西安电子科技大学微电子学院院长张玉明等领导及专家共计60余人参加了会议。
会上,赵元富向学术委员会委员颁发聘书,聘任郝跃院士为学术委员会主任,欧阳晓平院士、王巍院士为学术委员会副主任,聘任17名国内知名专家、学者为学术委员会委员。 
赵元富从实验室基本情况、2020年工作情况、2021年工作计划等方面做了《实验室情况介绍及2021年度主要工作》汇报;各学术带头人分别作了《基于专用集成电路工艺线的抗辐射工艺技术研究》、《28nm集成电路辐射效应和加固技术研究》、《氮化镓器件辐射效应研究进展》的学术报告。
郝跃院士、欧阳晓平院士及与会委员对实验室的建设思路予以充分肯定,希望三家依托单位发挥各自优势,加强基础理论研究,聚焦应用基础,发挥实验室品牌优势、学术前沿引领优势、器件制备优势、人才培养和技术支持优势,形成抗辐射知识体系和技术引领,将前沿和需求相结合,做出特色,打造国家级重点实验室。
抗辐射集成电路技术实验室:
抗辐射集成电路技术实验室依托航天771所、航天772所、西安电子科技大学共同设立,于2020年4月获得中国航天科技集团有限公司批复,2020年9月揭牌运行。实验室设立了辐射效应、设计加固、工艺加固以及模拟评价四个研究中心,是集团公司重点建设、支撑国防科技创新的重要平台。
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